MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 8 A 500 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
8 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
850 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
38 nC V @ 10
Hauteur
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 1,84
€ 1,84 Each (hors TVA)
1
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 1,84 |
| 10 - 49 | € 1,59 |
| 50 - 99 | € 1,52 |
| 100 - 249 | € 1,43 |
| 250+ | € 1,32 |
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Type de montage
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Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
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Dissipation de puissance maximum
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Configuration du transistor
Single
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±30 V
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
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Charge de Grille type @ Vgs
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Hauteur
9.01mm
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