MOSFET Vishay canal N, D2PAK (TO-263) 8 A 500 V, 3 broches

N° de stock RS: 708-5146PMarque: VishayN° de pièce Mfr: IRF840ASPBF
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

8 A

Tension Drain Source maximum

500 V

Type de boîtier

D2PAK (TO-263)

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

850 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

3,1 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Charge de Grille type @ Vgs

38 nC V @ 10

Largeur

9.65mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.67mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Hauteur

4.83mm

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 59,55

€ 1,191 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal N, D2PAK (TO-263) 8 A 500 V, 3 broches
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Paquet de production (Tube)

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Standard - each

Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

50

Disponible en multiples de 5
50€ 59,55
55€ 65,51
60€ 71,46
65€ 77,42
70€ 83,37
75€ 89,33
80€ 95,28
85€ 101,24
90€ 107,19
95€ 113,15
100€ 119,11
105€ 125,06
110€ 131,02
115€ 136,97
120€ 142,93

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105€ 125,06
110€ 131,02
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QuantitéPrix unitairePar Tube
50 - 120€ 1,191€ 5,96
125 - 245€ 1,098€ 5,49
250 - 495€ 0,939€ 4,69
500+€ 0,816€ 4,08

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N

Courant continu de Drain maximum

8 A

Tension Drain Source maximum

500 V

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Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

850 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

3,1 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Charge de Grille type @ Vgs

38 nC V @ 10

Largeur

9.65mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.67mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Température de fonctionnement minimum

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