Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
8 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
850 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
3,1 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
63 nC @ 10 V
Largeur
9.65mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
4.83mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 82,51
€ 1,65 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
50
€ 82,51
€ 1,65 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
50
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 1,65 | € 8,25 |
| 125 - 245 | € 1,58 | € 7,90 |
| 250 - 495 | € 1,405 | € 7,02 |
| 500+ | € 1,318 | € 6,59 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
8 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
850 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
3,1 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
63 nC @ 10 V
Largeur
9.65mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
4.83mm
Pays d'origine
China
Détails du produit


