MOSFET Vishay canal N, D2PAK (TO-263) 8 A 500 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
8 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Type d'emballage
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
850 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
3,1 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
63 nC @ 10 V
Largeur
9.65mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
4.83mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 83,79
€ 1,676 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
50
€ 83,79
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Paquet de production (Tube)
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 1,676 | € 8,38 |
| 125 - 245 | € 1,604 | € 8,02 |
| 250 - 495 | € 1,426 | € 7,13 |
| 500+ | € 1,338 | € 6,69 |
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VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
8 A
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500 V
Type d'emballage
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
850 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
3,1 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
63 nC @ 10 V
Largeur
9.65mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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