MOSFET Vishay canal N, D2PAK (TO-263) 8 A 500 V, 3 broches

N° de stock RS: 708-4752PMarque: VishayN° de pièce Mfr: IRF840SPBF
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

8 A

Tension Drain Source maximum

500 V

Type de boîtier

D2PAK (TO-263)

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

850 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

3,1 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.41mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Charge de Grille type @ Vgs

63 nC @ 10 V

Largeur

9.65mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Taille

4.83mm

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 83,79

€ 1,676 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal N, D2PAK (TO-263) 8 A 500 V, 3 broches
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Paquet de production (Tube)

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Standard - each

Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

50

Disponible en multiples de 5
50€ 83,79
55€ 92,17
60€ 100,55
65€ 108,93
70€ 117,30
75€ 125,68
80€ 134,06
85€ 142,44
90€ 150,82
95€ 159,20
100€ 167,58
105€ 175,96
110€ 184,34
115€ 192,72
120€ 201,09

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QuantitéPrix unitairePar Tube
50 - 120€ 1,676€ 8,38
125 - 245€ 1,604€ 8,02
250 - 495€ 1,426€ 7,13
500+€ 1,338€ 6,69

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8 A

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3

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850 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

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2V

Dissipation de puissance maximum

3,1 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Matériau du transistor

Si

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1

Longueur

10.41mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Charge de Grille type @ Vgs

63 nC @ 10 V

Largeur

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