MOSFET Vishay canal P, TO-220AB 4 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
4 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
TO-220AB, TO-220FL
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
1.2 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
43 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
8,7 nC @ 10 V
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 0,69
€ 0,69 Each (hors TVA)
Standard
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 0,69 |
| 10 - 49 | € 0,61 |
| 50 - 99 | € 0,58 |
| 100 - 249 | € 0,55 |
| 250+ | € 0,53 |
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
1.2 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
43 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
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