Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
6.8 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
600 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
60000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
18 nC V @ 10
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 11,18
€ 1,118 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 11,18
€ 1,118 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 1,118 | € 11,18 |
| 50 - 90 | € 1,094 | € 10,94 |
| 100 - 240 | € 0,949 | € 9,49 |
| 250 - 490 | € 0,906 | € 9,06 |
| 500+ | € 0,738 | € 7,38 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
6.8 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
600 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
60000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
18 nC V @ 10
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit


