Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
300 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
3.7 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
38 nC V @ 10
Largeur
9.02mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 93,99
€ 1,88 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 93,99
€ 1,88 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
50
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 1,88 | € 9,40 |
| 125 - 245 | € 1,771 | € 8,85 |
| 250 - 495 | € 1,659 | € 8,30 |
| 500+ | € 1,327 | € 6,64 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
300 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
3.7 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
38 nC V @ 10
Largeur
9.02mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


