MOSFET Vishay canal P, D2PAK (TO-263) 12 A 100 V, 3 broches

N° de stock RS: 650-4176PMarque: VishayN° de pièce Mfr: IRF9530SPBF
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

12 A

Tension Drain Source maximum

-100 V

Type de boîtier

D2PAK (TO-263)

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

300 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

3.7 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

38 nC V @ 10

Largeur

9.02mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.67mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Hauteur

4.83mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 93,99

€ 1,88 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Bobine
50 - 120€ 1,88€ 9,40
125 - 245€ 1,771€ 8,85
250 - 495€ 1,659€ 8,30
500+€ 1,327€ 6,64

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P

Courant continu de Drain maximum

12 A

Tension Drain Source maximum

-100 V

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Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

300 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

3.7 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

38 nC V @ 10

Largeur

9.02mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.67mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Hauteur

4.83mm

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