MOSFET Vishay canal P, D2PAK (TO-263) 19 A 100 V, 3 broches

N° de stock RS: 650-4205Marque: VishayN° de pièce Mfr: IRF9540SPBF
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

19 A

Tension Drain Source maximum

-100 V

Type de boîtier

D2PAK (TO-263)

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

200 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

150000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

61 nC @ 10 V

Largeur

9.65mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.67mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Hauteur

4.83mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 11,66

€ 2,332 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal P, D2PAK (TO-263) 19 A 100 V, 3 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

5

Disponible en multiples de 5
5€ 11,66
10€ 23,32
15€ 34,98
20€ 46,64
25€ 52,51
30€ 63,01
35€ 73,51
40€ 84,01
45€ 94,51
50€ 100,24
55€ 110,26
60€ 120,29
65€ 130,31
70€ 140,34
75€ 150,36

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55€ 110,26
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70€ 140,34
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QuantitéPrix unitairePar Paquet
5 - 20€ 2,332€ 11,66
25 - 45€ 2,10€ 10,50
50 - 120€ 2,005€ 10,02
125 - 245€ 1,866€ 9,33
250+€ 1,75€ 8,75

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Vishay

Type de canal

P

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19 A

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CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

200 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

150000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

61 nC @ 10 V

Largeur

9.65mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.67mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Hauteur

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