MOSFET Vishay canal P, D2PAK (TO-263) 6,5 A 200 V, 3 broches

N° de stock RS: 650-4249PMarque: VishayN° de pièce Mfr: IRF9630SPBF
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

6.5 A

Tension Drain Source maximum

200 V

Type de boîtier

D2PAK (TO-263)

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

800 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

3000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

29 nC@ 10 V

Largeur

9.02mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.67mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

4.83mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 113,31

€ 2,266 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal P, D2PAK (TO-263) 6,5 A 200 V, 3 broches
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Paquet de production (Tube)

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Standard - each

Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

50

Disponible en multiples de 5
50€ 113,31
55€ 124,64
60€ 135,97
65€ 147,30
70€ 158,63
75€ 169,96
80€ 181,29
85€ 192,63
90€ 203,96
95€ 215,29
100€ 226,62
105€ 237,95
110€ 249,28
115€ 260,61
120€ 271,94

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95€ 215,29
100€ 226,62
105€ 237,95
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115€ 260,61
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QuantitéPrix unitairePar Tube
50 - 120€ 2,266€ 11,33
125 - 245€ 2,173€ 10,86
250 - 495€ 1,93€ 9,65
500+€ 1,809€ 9,05

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P

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Nombre de broche

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Résistance Drain Source maximum

800 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

3000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

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Charge de Grille type @ Vgs

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Largeur

9.02mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.67mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

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