MOSFET Vishay canal P, D2PAK (TO-263) 6,8 A 200 V, 3 broches

N° de stock RS: 815-2676Marque: VishayN° de pièce Mfr: IRF9640STRRPBF
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

6.8 A

Tension Drain Source maximum

200 V

Type de boîtier

D2PAK (TO-263)

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

500 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

125 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Longueur

10.67mm

Charge de Grille type @ Vgs

44 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

9.65mm

Matériau du transistor

Si

Hauteur

4.83mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 18,49

€ 1,849 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal P, D2PAK (TO-263) 6,8 A 200 V, 3 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 10
10€ 18,49
20€ 30,32
30€ 45,48
40€ 60,64
50€ 71,14
60€ 85,37
70€ 99,60
80€ 113,83
90€ 128,06
100€ 136,83
110€ 150,52
120€ 164,20
130€ 177,88
140€ 191,57
150€ 205,25

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
10 - 10€ 1,849€ 18,49
20 - 40€ 1,516€ 15,16
50 - 90€ 1,423€ 14,23
100 - 240€ 1,368€ 13,68
250+€ 1,294€ 12,94

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500 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

125 W

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Single

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Largeur

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Matériau du transistor

Si

Hauteur

4.83mm

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