MOSFET Vishay canal P, TO-220AB 4,7 A 60 V, 3 broches

N° de stock RS: 815-2679Marque: VishayN° de pièce Mfr: IRF9Z10PBF
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

4.7 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de boîtier

TO-220AB

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

500 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

43 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Largeur

4.65mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.51mm

Charge de Grille type @ Vgs

12 nC V @ 10

Hauteur

15.49mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 13,58

€ 1,358 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal P, TO-220AB 4,7 A 60 V, 3 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 10
10€ 13,58
20€ 27,16
30€ 40,74
40€ 54,32
50€ 67,91
60€ 81,49
70€ 95,07
80€ 108,65
90€ 122,23
100€ 103,08
110€ 113,39
120€ 123,70
130€ 134,00
140€ 144,31
150€ 154,62

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
10 - 90€ 1,358€ 13,58
100 - 240€ 1,031€ 10,31
250 - 490€ 0,949€ 9,49
500 - 990€ 0,816€ 8,16
1000+€ 0,707€ 7,07

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Vishay

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P

Courant continu de Drain maximum

4.7 A

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Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

500 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

43 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Largeur

4.65mm

Matériau du transistor

Si

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1

Longueur

10.51mm

Charge de Grille type @ Vgs

12 nC V @ 10

Hauteur

15.49mm

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