MOSFET Vishay canal P, TO-220AB 6,1 A 50 V, 3 broches

N° de stock RS: 815-2682PMarque: VishayN° de pièce Mfr: IRF9Z20PBF
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

6.1 A

Tension Drain Source maximum

50 V

Type de boîtier

TO-220AB

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

280 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

40 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Longueur

10.51mm

Charge de Grille type @ Vgs

17 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

150 °C

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

4.65mm

Matériau du transistor

Si

Hauteur

15.49mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 42,39

€ 0,848 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal P, TO-220AB 6,1 A 50 V, 3 broches
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Paquet de production (Tube)

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Standard - each

Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

50

Disponible en multiples de 10
50€ 42,39
60€ 50,87
70€ 59,35
80€ 67,83
90€ 76,30
100€ 80,12
110€ 88,14
120€ 96,15
130€ 104,16
140€ 112,17
150€ 120,18
160€ 128,20
170€ 136,21
180€ 144,22
190€ 152,23

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QuantitéPrix unitairePar Tube
50 - 90€ 0,848€ 8,48
100 - 240€ 0,801€ 8,01
250 - 490€ 0,706€ 7,06
500+€ 0,613€ 6,13

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Courant continu de Drain maximum

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50 V

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Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

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Résistance Drain Source maximum

280 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

40 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Longueur

10.51mm

Charge de Grille type @ Vgs

17 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

150 °C

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

4.65mm

Matériau du transistor

Si

Hauteur

15.49mm

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