MOSFET Vishay canal P, TO-220AB 18 A 60 V, 3 broches

N° de stock RS: 708-4755Marque: VishayN° de pièce Mfr: IRF9Z34PBF
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

18 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de boîtier

TO-220AB

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

140 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

88000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

4.7mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.41mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Charge de Grille type @ Vgs

34 nC V @ 10

Hauteur

9.01mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 9,13

€ 1,825 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal P, TO-220AB 18 A 60 V, 3 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

5

Disponible en multiples de 5
5€ 9,13
10€ 18,25
15€ 27,38
20€ 36,50
25€ 45,63
30€ 54,76
35€ 63,88
40€ 73,01
45€ 82,13
50€ 82,17
55€ 90,39
60€ 98,60
65€ 106,82
70€ 115,04
75€ 123,25

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35€ 63,88
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45€ 82,13
50€ 82,17
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75€ 123,25

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
5 - 45€ 1,825€ 9,13
50 - 120€ 1,643€ 8,22
125 - 245€ 1,462€ 7,31
250 - 495€ 1,371€ 6,85
500+€ 1,277€ 6,39

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Vishay

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

18 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de boîtier

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Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

140 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

88000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

4.7mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.41mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Charge de Grille type @ Vgs

34 nC V @ 10

Hauteur

9.01mm

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