MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 11 A 500 V, 3 broches

N° de stock RS: 541-1944PMarque: VishayN° de pièce Mfr: IRFB11N50APBF
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

11 A

Tension Drain Source maximum

500 V

Type de boîtier

TO-220AB

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

520 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

170 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Charge de Grille type @ Vgs

52 nC @ 10 V

Largeur

4.7mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.41mm

Hauteur

9.01mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 22,50

€ 2,25 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 11 A 500 V, 3 broches
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Paquet de production (Bande)

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Standard - each

Disponible en multiples de 1.

Production -

Disponible en multiples de 1.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 1
10€ 22,50
11€ 24,75
12€ 27,00
13€ 29,25
14€ 31,50
15€ 33,75
16€ 36,00
17€ 38,25
18€ 40,50
19€ 42,76
20€ 45,01
21€ 47,26
22€ 49,51
23€ 51,76
24€ 54,01

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QuantitéPrix unitaire
10 - 49€ 2,25
50 - 99€ 2,17
100 - 249€ 2,05
250+€ 1,93

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N

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11 A

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Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

520 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

170 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Température d'utilisation maximum

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Largeur

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