MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 14 A 500 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
14 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
450 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
250 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Largeur
4.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
81 nC V @ 10
Taille
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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5
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3
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Mode de canal
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Single
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Si
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Longueur
10.41mm
Largeur
4.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Taille
9.01mm
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