MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 8,5 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
8,5 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
930 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
167 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
48 nC V @ 10
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 600 à 1 000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Prix sur demande
Standard
1
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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2V
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Charge de Grille type @ Vgs
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Si
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