Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2.2 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4,4 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
50 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
18 nC V @ 10
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 600 à 1 000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 0,80
€ 0,80 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 0,80
€ 0,80 Each (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 0,80 |
| 10 - 49 | € 0,67 |
| 50 - 99 | € 0,65 |
| 100 - 249 | € 0,60 |
| 250+ | € 0,56 |
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Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2.2 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4,4 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
50 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
18 nC V @ 10
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


