MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 3,6 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3.6 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2.2 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
74 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
23 nC @ 10 V
Largeur
4.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
9.01mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 600 à 1 000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 5,23
€ 1,046 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,046 | € 5,23 |
| 50 - 120 | € 0,889 | € 4,44 |
| 125 - 245 | € 0,839 | € 4,19 |
| 250 - 495 | € 0,784 | € 3,92 |
| 500+ | € 0,627 | € 3,14 |
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VishayType de canal
N
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Type de boîtier
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2.2 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
74 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
23 nC @ 10 V
Largeur
4.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
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China
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