MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 3,6 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3.6 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2.2 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
74 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
31 nC V @ 10
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Hauteur
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 600 à 1 000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 2,23
€ 2,23 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 2,23
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 2,23 |
| 10 - 49 | € 2,10 |
| 50 - 99 | € 1,89 |
| 100 - 249 | € 1,78 |
| 250+ | € 1,67 |
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Through Hole
Nombre de broche
3
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2.2 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
74 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Hauteur
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