Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayTyp produktu
Power MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
4.1A
Tension Drain Source maximum Vds
800V
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
3Ω
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.8V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
78nC
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
±20 V
Maximální provozní teplota
60°C
Configuration du transistor
Single
Normes/homologations
IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
Počet prvků na čip
1
Automobilový standard
No
Pays d'origine
China
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 61,91
€ 1,238 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 61,91
€ 1,238 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,238 | € 61,91 |
| 100 - 200 | € 1,164 | € 58,22 |
| 250 - 450 | € 1,052 | € 52,62 |
| 500 - 1200 | € 0,991 | € 49,55 |
| 1250+ | € 0,929 | € 46,44 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayTyp produktu
Power MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
4.1A
Tension Drain Source maximum Vds
800V
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
3Ω
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.8V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
78nC
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
±20 V
Maximální provozní teplota
60°C
Configuration du transistor
Single
Normes/homologations
IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
Počet prvků na čip
1
Automobilový standard
No
Pays d'origine
China


