Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3.6 A
Tension Drain Source maximum
900 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3.7 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
78 nC @ 10 V
Largeur
4.7mm
Hauteur
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 600 à 1 000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 27,50
€ 2,75 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Paquet de production (Bande)
10
€ 27,50
€ 2,75 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bande)
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 10 - 49 | € 2,75 |
| 50 - 99 | € 2,65 |
| 100 - 249 | € 2,49 |
| 250+ | € 2,34 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3.6 A
Tension Drain Source maximum
900 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3.7 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
78 nC @ 10 V
Largeur
4.7mm
Hauteur
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


