MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 3,1 A 1 000 V, 3 broches

N° de stock RS: 541-1146PMarque: VishayN° de pièce Mfr: IRFBG30PBF
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

3.1 A

Tension Drain Source maximum

1000 V

Type de boîtier

TO-220AB

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

5 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

125 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

80 nC @ 10 V

Largeur

4.7mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.41mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

9.01mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, de 600 à 1 000 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 16,82

€ 1,68 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 3,1 A 1 000 V, 3 broches
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Paquet de production (Tube)

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Standard - each

Disponible en multiples de 1.

Production -

Disponible en multiples de 1.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 1
10€ 16,82
11€ 18,50
12€ 20,18
13€ 21,87
14€ 23,55
15€ 25,23
16€ 26,91
17€ 28,59
18€ 30,28
19€ 31,96
20€ 33,64
21€ 35,32
22€ 37,00
23€ 38,69
24€ 40,37

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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

QuantitéPrix unitaire
10 - 49€ 1,68
50 - 99€ 1,60
100 - 249€ 1,51
250+€ 1,40

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N

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3.1 A

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Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

5 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

125 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

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Largeur

4.7mm

Matériau du transistor

Si

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Longueur

10.41mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

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