MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 3,1 A 1000 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3.1 A
Tension Drain Source maximum
1000 V
Type de conditionnement
TO-220AB
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Charge de Grille type @ Vgs
80 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 600 à 1 000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 72,74
€ 1,455 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 72,74
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,455 | € 72,74 |
| 100 - 200 | € 1,237 | € 61,83 |
| 250+ | € 1,164 | € 58,20 |
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3
Résistance Drain Source maximum
5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
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±20 V
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
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1
Longueur
10.41mm
Charge de Grille type @ Vgs
80 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
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