MOSFET Vishay canal N, HVMDIP 1,7 A 60 V, 4 broches

N° de stock RS: 541-0581PMarque: VishayN° de pièce Mfr: IRFD014PBF
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

1,7 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de boîtier

HVMDIP

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

4

Résistance Drain Source maximum

200 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

1.3 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

11 nC V @ 10

Largeur

6.29mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Hauteur

3.37mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, de 60 à 90 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 13,75

€ 1,38 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal N, HVMDIP 1,7 A 60 V, 4 broches
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Paquet de production (Bande)

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Standard - each

Disponible en multiples de 1.

Production -

Disponible en multiples de 1.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 1
10€ 13,75
11€ 15,13
12€ 16,50
13€ 17,88
14€ 19,25
15€ 20,63
16€ 22,00
17€ 23,38
18€ 24,75
19€ 26,13
20€ 27,50
21€ 28,88
22€ 30,25
23€ 31,63
24€ 33,00

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QuantitéPrix unitaire
10 - 49€ 1,38
50 - 99€ 1,24
100 - 249€ 1,15
250+€ 1,08

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N

Courant continu de Drain maximum

1,7 A

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Nombre de broche

4

Résistance Drain Source maximum

200 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

1.3 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

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Charge de Grille type @ Vgs

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Largeur

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Matériau du transistor

Si

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