MOSFET Vishay canal N, HVMDIP 1 A 100 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
HVMDIP
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
540 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
1.3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
8,3 nC @ 10 V
Largeur
6.29mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
3.37mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Prix sur demande
Paquet de production (Bande)
1
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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1.3 W
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Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
6.29mm
Matériau du transistor
Si
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1
Longueur
5mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
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