MOSFET Vishay canal N, HVMDIP 1 A 100 V, 4 broches

N° de stock RS: 541-1039Marque: VishayN° de pièce Mfr: IRFD110PBF
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

1 A

Tension Drain Source maximum

-100 V

Type de boîtier

HVMDIP

Type de fixation

Through Hole

Nombre de broche

4

Résistance Drain Source maximum

540 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

1.3 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

8,3 nC @ 10 V

Largeur

6.29mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Hauteur

3.37mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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Vous pouvez être intéressé par
IRFD110
IRFD110Marque: Vishay
Prix ​​sur demandeEach (hors TVA)

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

€ 0,92

€ 0,92 Each (hors TVA)

MOSFET Vishay canal N, HVMDIP 1 A 100 V, 4 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 1.

Production -

Disponible en multiples de 1.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

1

Disponible en multiples de 1
1€ 0,92
2€ 1,85
3€ 2,77
4€ 3,70
5€ 4,62
6€ 5,55
7€ 6,47
8€ 7,40
9€ 8,32
10€ 7,54
11€ 8,29
12€ 9,04
13€ 9,80
14€ 10,55
15€ 11,30

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QuantitéPrix unitaire
1 - 9€ 0,92
10 - 49€ 0,75
50 - 99€ 0,71
100 - 249€ 0,65
250+€ 0,62

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Largeur

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Si

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1

Longueur

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