MOSFET Vishay canal N, HVMDIP 1,3 A 100 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.3 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type d'emballage
HVMDIP
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
270 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
1.3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.29mm
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
16 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
3.37mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 43,42
€ 0,434 Each (In a Tube of 100) (hors TVA)
100
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100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 100 - 100 | € 0,434 | € 43,42 |
| 200 - 400 | € 0,408 | € 40,81 |
| 500+ | € 0,369 | € 36,90 |
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-100 V
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
270 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
1.3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.29mm
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
16 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
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