MOSFET Vishay canal N, HVMDIP 600 mA 200 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0.6 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de conditionnement
HVMDIP
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
1,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
1000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.29mm
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
8,2 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
3.37mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 30,74
€ 0,307 Each (In a Tube of 100) (hors TVA)
100
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Matériau du transistor
Si
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