MOSFET Vishay canal P, HVMDIP 1,1 A 60 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
1.1 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
HVMDIP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
4
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Configuration du transistor
Single
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
6.9mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
3.8mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
3.8mm
Pays d'origine
Philippines
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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P
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4
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Configuration du transistor
Single
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
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Largeur
3.8mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
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