MOSFET Vishay canal P, HVMDIP 1,6 A 60 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
1.6 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
HVMDIP
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum
280 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
1.3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.29mm
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
3.37mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
6.3V
Pays d'origine
Philippines
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 13,67
€ 1,367 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Standard
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,367 | € 13,68 |
| 100 - 240 | € 1,341 | € 13,41 |
| 250 - 490 | € 1,163 | € 11,63 |
| 500 - 990 | € 1,108 | € 11,08 |
| 1000+ | € 0,901 | € 9,01 |
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P
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Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum
280 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
1.3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.29mm
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
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Température de fonctionnement minimum
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