MOSFET Vishay canal P, HVMDIP 1,6 A 60 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
1.6 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
HVMDIP
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
280 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
1.3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5mm
Longueur
6.29mm
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
6.3V
Taille
3.37mm
Pays d'origine
Philippines
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 103,46
€ 1,035 Each (In a Tube of 100) (hors TVA)
100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 100 - 100 | € 1,035 | € 103,46 |
| 200 - 400 | € 1,014 | € 101,38 |
| 500+ | € 0,962 | € 96,18 |
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Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
280 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
1.3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5mm
Longueur
6.29mm
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
6.3V
Taille
3.37mm
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