MOSFET Vishay canal P, HVMDIP 1,6 A 60 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
1,6 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
HVMDIP
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
280 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
1.3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5mm
Longueur
6.29mm
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
6.3V
Hauteur
3.37mm
Pays d'origine
Philippines
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 92,64
€ 0,926 Each (In a Tube of 100) (hors TVA)
100
€ 92,64
€ 0,926 Each (In a Tube of 100) (hors TVA)
100
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 100 - 100 | € 0,926 | € 92,64 |
| 200 - 400 | € 0,908 | € 90,78 |
| 500+ | € 0,862 | € 86,16 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
1,6 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
HVMDIP
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
280 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
1.3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5mm
Longueur
6.29mm
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
6.3V
Hauteur
3.37mm
Pays d'origine
Philippines
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.