MOSFET Vishay canal P, HVMDIP 1,6 A 60 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
1.6 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
HVMDIP
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
280 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
1.3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
19 nC @ 10 V
Largeur
6.29mm
Hauteur
3.37mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 10,00
€ 1,00 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
10
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 10 - 49 | € 1,00 |
| 50 - 99 | € 0,94 |
| 100 - 249 | € 0,84 |
| 250+ | € 0,78 |
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Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
1.3 W
Configuration du transistor
Single
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±20 V
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Si
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1
Longueur
5mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
6.29mm
Hauteur
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