Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayTyp produktu
Power MOSFET
Typ kanálu
Type P
Courant continu de Drain maximum Id
-0.4A
Maximální napětí na zdroji Vds
200V
Type de Boitier
HVMDIP
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum Rds
3Ω
Charge de porte typique Qg @ Vgs
8.9nC
Dissipation de puissance maximum Pd
1W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
±20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Maximální provozní teplota
60°C
Configuration du transistor
Single
Largeur
5 mm
Longueur
10.79mm
Höhe
8.38mm
Normes/homologations
RoHS 2002/95/EC
Počet prvků na čip
1
Automobilový standard
No
Pays d'origine
Philippines
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 22,06
€ 0,221 Each (In a Tube of 100) (hors TVA)
100
€ 22,06
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
100
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Power MOSFET
Typ kanálu
Type P
Courant continu de Drain maximum Id
-0.4A
Maximální napětí na zdroji Vds
200V
Type de Boitier
HVMDIP
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum Rds
3Ω
Charge de porte typique Qg @ Vgs
8.9nC
Dissipation de puissance maximum Pd
1W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
±20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Maximální provozní teplota
60°C
Configuration du transistor
Single
Largeur
5 mm
Longueur
10.79mm
Höhe
8.38mm
Normes/homologations
RoHS 2002/95/EC
Počet prvků na čip
1
Automobilový standard
No
Pays d'origine
Philippines


