MOSFET Vishay canal N, TO-220FP 4,5 A 100 V, 3 broches

N° de stock RS: 815-2702Marque: VishayN° de pièce Mfr: IRFI510GPBF
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

4.5 A

Tension Drain Source maximum

-100 V

Type de boîtier

A-220

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

540 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

27 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

4.83mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.63mm

Charge de Grille type @ Vgs

8,3 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Hauteur

16.12mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 8,26

€ 0,826 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal N, TO-220FP 4,5 A 100 V, 3 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 10
10€ 8,26
20€ 16,52
30€ 24,79
40€ 33,05
50€ 41,31
60€ 49,57
70€ 57,84
80€ 66,10
90€ 74,36
100€ 77,74
110€ 85,51
120€ 93,28
130€ 101,06
140€ 108,83
150€ 116,60

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
10 - 90€ 0,826€ 8,26
100 - 490€ 0,777€ 7,77
500 - 990€ 0,702€ 7,02
1000 - 2490€ 0,661€ 6,61
2500+€ 0,621€ 6,20

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N

Courant continu de Drain maximum

4.5 A

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Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

540 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

27 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

4.83mm

Matériau du transistor

Si

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1

Longueur

10.63mm

Charge de Grille type @ Vgs

8,3 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

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Hauteur

16.12mm

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