MOSFET Vishay canal N, TO-220FP 4 A 200 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
30 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-10 V, +10 V
Charge de Grille type @ Vgs
16 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 8,90
€ 1,78 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,78 | € 8,90 |
| 50 - 120 | € 1,509 | € 7,55 |
| 125 - 245 | € 1,423 | € 7,11 |
| 250 - 495 | € 1,332 | € 6,66 |
| 500+ | € 1,155 | € 5,77 |
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VishayType de canal
N
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4 A
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200 V
Type de boîtier
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
30 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-10 V, +10 V
Charge de Grille type @ Vgs
16 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
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China
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