MOSFET Vishay canal N, TO-220FP 9,8 A 200 V, 3 broches

N° de stock RS: 542-9664Marque: VishayN° de pièce Mfr: IRFI640GPBFDistrelec Article No.: 30191576
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

9.8 A

Tension Drain Source maximum

200 V

Type de boîtier

A-220

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

180 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

40 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

70 nC @ 10 V

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

9.8mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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IRFI640G
IRFI640GMarque: Vishay
Prix ​​sur demandeEach (hors TVA)

€ 2,27

€ 2,27 Each (hors TVA)

MOSFET Vishay canal N, TO-220FP 9,8 A 200 V, 3 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 1.

Production -

Disponible en multiples de 1.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

1

Disponible en multiples de 1
1€ 2,27
2€ 4,55
3€ 6,82
4€ 9,09
5€ 11,36
6€ 13,64
7€ 15,91
8€ 18,18
9€ 20,46
10€ 19,32
11€ 21,25
12€ 23,18
13€ 25,12
14€ 27,05
15€ 28,98

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8€ 18,18
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QuantitéPrix unitaire
1 - 9€ 2,27
10 - 49€ 1,93
50 - 99€ 1,82
100 - 249€ 1,69
250+€ 1,59

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N

Courant continu de Drain maximum

9.8 A

Tension Drain Source maximum

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Type de boîtier

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3

Résistance Drain Source maximum

180 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

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40 W

Configuration du transistor

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Charge de Grille type @ Vgs

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Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Température d'utilisation maximum

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Hauteur

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