Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5.4 A
Tension Drain Source maximum
400 V
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
550 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
40 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
66 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
9.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 300 à 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 19,43
€ 1,94 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Paquet de production (Bande)
10
€ 19,43
€ 1,94 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bande)
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 10 - 49 | € 1,94 |
| 50 - 99 | € 1,83 |
| 100 - 249 | € 1,76 |
| 250+ | € 1,60 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5.4 A
Tension Drain Source maximum
400 V
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
550 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
40 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
66 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
9.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


