MOSFET Vishay canal P, TO-220FP 2 A 200 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
2 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de conditionnement
A-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
27 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
13 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
9.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 10,92
€ 2,184 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,184 | € 10,92 |
| 50 - 245 | € 2,052 | € 10,26 |
| 250 - 495 | € 1,858 | € 9,29 |
| 500 - 1245 | € 1,748 | € 8,74 |
| 1250+ | € 1,64 | € 8,20 |
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P
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2 A
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200 V
Type de conditionnement
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Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
27 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
13 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
9.8mm
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