Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
1.9 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
30 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.83mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.63mm
Charge de Grille type @ Vgs
15 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
16.12mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 11,58
€ 1,158 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 11,58
€ 1,158 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 1,158 | € 11,58 |
| 50 - 90 | € 1,088 | € 10,88 |
| 100 - 240 | € 0,984 | € 9,84 |
| 250 - 490 | € 0,926 | € 9,26 |
| 500+ | € 0,868 | € 8,68 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
1.9 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
30 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.83mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.63mm
Charge de Grille type @ Vgs
15 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
16.12mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit


