Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
4.1 A
Tension Drain Source maximum
250 V
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
35 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
38 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
9.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 10,65
€ 2,13 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 10,65
€ 2,13 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,13 | € 10,65 |
| 50 - 120 | € 1,812 | € 9,06 |
| 125 - 245 | € 1,702 | € 8,51 |
| 250 - 495 | € 1,598 | € 7,99 |
| 500+ | € 1,491 | € 7,46 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
4.1 A
Tension Drain Source maximum
250 V
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
35 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
38 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
9.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit


