Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
37 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
18 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
50 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
110 nC V @ 10
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
9.8mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 60 à 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 127,87
€ 2,557 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
50
€ 127,87
€ 2,557 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
50
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Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
---|---|---|
50 - 120 | € 2,557 | € 12,79 |
125 - 245 | € 2,415 | € 12,07 |
250 - 495 | € 2,328 | € 11,64 |
500+ | € 2,102 | € 10,51 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
37 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
18 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
50 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
110 nC V @ 10
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
9.8mm
Pays d'origine
China
Détails du produit