Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
37 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
18 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
50 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Charge de Grille type @ Vgs
110 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
9.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 60 à 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 77,14
€ 1,543 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
37 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
18 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
50 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Charge de Grille type @ Vgs
110 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
9.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit