MOSFET Vishay canal N, SOT-223 960 mA 200 V, 3 broches

N° de stock RS: 815-2736PMarque: VishayN° de pièce Mfr: IRFL210TRPBF
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

960 mA

Tension Drain Source maximum

200 V

Type de boîtier

SOT-223-5

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

1,5 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

3,1 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

3.7mm

Charge de Grille type @ Vgs

8,2 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Longueur

6.7mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Matériau du transistor

Si

Hauteur

1.8mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

€ 39,89

€ 0,399 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal N, SOT-223 960 mA 200 V, 3 broches
Sélectionner le type d'emballage

Paquet de production (Bobine)

Sélectionner le type d'emballage

Standard - each

Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

100

Disponible en multiples de 10
100€ 39,89
110€ 43,88
120€ 47,87
130€ 51,86
140€ 55,85
150€ 59,84
160€ 63,83
170€ 67,81
180€ 71,80
190€ 75,79
200€ 79,78
210€ 83,77
220€ 87,76
230€ 91,75
240€ 95,74

€ 39,89

€ 0,399 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal N, SOT-223 960 mA 200 V, 3 broches

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Sélectionner le type d'emballage

Paquet de production (Bobine)

Sélectionner le type d'emballage

Standard - each

Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

100

Disponible en multiples de 10
100€ 39,89
110€ 43,88
120€ 47,87
130€ 51,86
140€ 55,85
150€ 59,84
160€ 63,83
170€ 67,81
180€ 71,80
190€ 75,79
200€ 79,78
210€ 83,77
220€ 87,76
230€ 91,75
240€ 95,74

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

QuantitéPrix unitairePar Bobine
100 - 240€ 0,399€ 3,99
250 - 490€ 0,35€ 3,50
500 - 990€ 0,324€ 3,24
1000+€ 0,27€ 2,70

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

960 mA

Tension Drain Source maximum

200 V

Type de boîtier

SOT-223-5

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

1,5 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

3,1 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

3.7mm

Charge de Grille type @ Vgs

8,2 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Longueur

6.7mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Matériau du transistor

Si

Hauteur

1.8mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus