Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
70 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
14 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
230 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Largeur
5.31mm
Charge de Grille type @ Vgs
160 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
20.82mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 60 à 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 35,96
€ 3,596 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
€ 35,96
€ 3,596 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
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Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
---|---|---|
10 - 20 | € 3,596 | € 17,98 |
25 - 45 | € 3,347 | € 16,73 |
50 - 120 | € 3,14 | € 15,70 |
125+ | € 2,717 | € 13,58 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
70 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
14 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
230 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Largeur
5.31mm
Charge de Grille type @ Vgs
160 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
20.82mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit