Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
70 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
9 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
15.87mm
Charge de Grille type @ Vgs
190 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
20.82mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 82,75
€ 4,138 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
20
€ 82,75
€ 4,138 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
20
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
---|---|---|
20 - 48 | € 4,138 | € 8,28 |
50 - 98 | € 3,968 | € 7,94 |
100 - 198 | € 3,524 | € 7,05 |
200+ | € 3,308 | € 6,62 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
70 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
9 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
15.87mm
Charge de Grille type @ Vgs
190 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
20.82mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit