Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
41 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
55 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
230 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Largeur
5.31mm
Charge de Grille type @ Vgs
140 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
20.82mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 15,63
€ 3,125 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 15,63
€ 3,125 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 3,125 | € 15,63 |
| 25 - 45 | € 2,657 | € 13,29 |
| 50 - 120 | € 2,50 | € 12,50 |
| 125 - 245 | € 2,343 | € 11,72 |
| 250+ | € 2,032 | € 10,16 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
41 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
55 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
230 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Largeur
5.31mm
Charge de Grille type @ Vgs
140 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
20.82mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


