Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
-16 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Type de boîtier
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
320 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
220000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Longueur
15.87mm
Charge de Grille type @ Vgs
130 nC V @ 10
Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
20.82mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
2
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
2
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
-16 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Type de boîtier
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
320 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
220000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Longueur
15.87mm
Charge de Grille type @ Vgs
130 nC V @ 10
Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
20.82mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


