Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
22 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Type de boîtier
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
230 m Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
277 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
120 nF @ 10 V
Largeur
5.31mm
Hauteur
20.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 49,32
€ 4,93 Each (Supplied in a Bag) (hors TVA)
Paquet de production (Sac)
10
€ 49,32
€ 4,93 Each (Supplied in a Bag) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Sac)
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 10 - 24 | € 4,93 |
| 25 - 49 | € 4,67 |
| 50 - 99 | € 4,44 |
| 100+ | € 4,21 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
22 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Type de boîtier
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
230 m Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
277 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
120 nF @ 10 V
Largeur
5.31mm
Hauteur
20.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


