Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
85 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
190 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Charge de Grille type @ Vgs
140 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
20.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 57,45
€ 2,298 Each (In a Tube of 25) (hors TVA)
25
€ 57,45
€ 2,298 Each (In a Tube of 25) (hors TVA)
25
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 25 - 25 | € 2,298 | € 57,45 |
| 50 - 100 | € 2,252 | € 56,30 |
| 125+ | € 2,137 | € 53,44 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
85 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
190 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Charge de Grille type @ Vgs
140 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
20.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


