Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
23 A
Tension Drain Source maximum
250 V
Type de boîtier
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
140 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
190 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
140 nC V @ 10
Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
20.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 27,84
€ 2,78 Each (Supplied in a Bag) (hors TVA)
Paquet de production (Sac)
10
€ 27,84
€ 2,78 Each (Supplied in a Bag) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Sac)
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 10 - 49 | € 2,78 |
| 50 - 99 | € 2,61 |
| 100 - 249 | € 2,42 |
| 250+ | € 2,06 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
23 A
Tension Drain Source maximum
250 V
Type de boîtier
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
140 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
190 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
140 nC V @ 10
Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
20.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


