Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
46 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
55 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
280 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
230 nC @ 10 V
Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
20.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 68,42
€ 2,737 Each (In a Tube of 25) (hors TVA)
25
€ 68,42
€ 2,737 Each (In a Tube of 25) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
25
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 25 - 25 | € 2,737 | € 68,42 |
| 50 - 100 | € 2,60 | € 65,01 |
| 125+ | € 2,326 | € 58,16 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
46 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
55 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
280 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
230 nC @ 10 V
Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
20.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit



